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C2611	文件：852.9 Kbytes Page：1 Pages	TO-251 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR（NPN） FEATURES Powerdissipation PCM:1W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:600V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150℃	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
C2611	文件：188.3 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR竊?NPN 竊 TRANSISTOR（NPN） FEATURES Powerdissipation PCM:1W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:600V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150℃	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
C2611	文件：56.33 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:600V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
C2611	文件：211.18 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR竊?NPN 竊 TRANSISTOR（NPN） FEATURES Powerdissipation PCM:0.75W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:600V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150℃	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
C2611	文件：67.29 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:600V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
C2611	文件：288.38 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN)	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
C2611	文件：246.58 Kbytes Page：2 Pages	NPN Power Transistor	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
C2611-T0-92	文件：211.18 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR竊?NPN 竊 TRANSISTOR（NPN） FEATURES Powerdissipation PCM:0.75W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:600V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150℃	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
C2611-TO-251	文件：188.3 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR竊?NPN 竊 TRANSISTOR（NPN） FEATURES Powerdissipation PCM:1W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:600V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150℃	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
C2611-TO-251	文件：300 bytes Page：1 Pages	TO-251 Plastic-Encapsulated Transistors; Power dissipation\n PCM: 1 W (Tamb=25℃)\n Collector current\n ICM: 0.2 A\n Collector-base voltage\n V(BR)CBO: 600 V\n Operating and storage junction temperature range\n TJ, Tstg: -55℃ to +150℃; TRANSISTOR (NPN)FEATURES\n Power dissipation\n PCM: 1 W (Tamb=25℃)\n Collector current\n ICM: 0.2 A\n Collector-base voltage\n V(BR)CBO: 600 V\n Operating and storage junction temperature range\n TJ, Tstg: -55℃ to +150℃	TRANSYS TRANSYS Electronics Limited	TRANSYS

详细参数

型号：
C2611
制造商：
TRSYS
制造商全称：
Transys Electronics
功能描述：
Plastic-Encapsulated Transistors

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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