Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

40--4000 MHz, 19.5 dB 25 dBm InGaP HBT GPA The MMG3014NT1 is a general purpose amplifier that is input and output internally prematched. It is designed for a broad range of Class A, small--signal, high linearity, general purpose applications. It is suitable for applications with frequencies from

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恩XP

Package：1206（3216 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：电容器 陶瓷电容器 描述：CAP CER 1.8PF 50V NP0 1206

KEMETKEMET Corporation

基美

Package：1206（3216 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：电容器 陶瓷电容器 描述：CAP CER 1.8PF 50V NP0 1206

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基美

KEMET/基美
SMD

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上传：深圳市河锋鑫科技有限公司

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