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C106M1	文件：62.44 Kbytes Page：6 Pages	Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers SensitiveGateSiliconControlledRectifiers ReverseBlockingThyristors GlassivatedPNPNdevicesdesignedforhighvolumeconsumerapplicationssuchastemperature,light,andspeedcontrol;processandremotecontrol,andwarningsystemswherereliabilityofoperationisimportant. Features	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
C106M1	文件：58.04 Kbytes Page：1 Pages	SCRs SCRs	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
C106M1	文件：426.88 Kbytes Page：2 Pages	SILICON CONTROLLED RECTIFIER DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORC106A1seriesarePNPNsiliconcontrolledrectifiersdesignedforapplicationssuchastemperature,light,speedcontrol,processandremotecontrol,andwarningsystemswherereliabilityofoperationisimportant.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
C106M1G	文件：62.44 Kbytes Page：6 Pages	Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers SensitiveGateSiliconControlledRectifiers ReverseBlockingThyristors GlassivatedPNPNdevicesdesignedforhighvolumeconsumerapplicationssuchastemperature,light,andspeedcontrol;processandremotecontrol,andwarningsystemswherereliabilityofoperationisimportant. Features	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
C106M1G	文件：257.22 Kbytes Page：2 Pages	iscThyristors FEATURES ·Flat,Rugged,ThermopadConstructionfor LowThermalResistance,HighHeatDissipation andDurability ·PracticalLevelTriggering APPLICATIONS ·Heatingcontrols ·Highpowermotorcontrol ·Highpowerswitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
C106M2	文件：257.88 Kbytes Page：2 Pages	SENSITIVE GATE SILICON CONTROLLED RECTIFIER 4 AMP, 200 THRU 600 VOLTS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORC106B2Seriestypesare4.0A,PNPNsensitivegatetriggeringsilicon controlledrectifierswithvoltagesrangingfrom200Vto600V.Thesedevicesaredesignedforapplicationssuchastemperature,lightandspeedcontrol,andremotewarningandtriggerin	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
C106MG	文件：62.44 Kbytes Page：6 Pages	Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers SensitiveGateSiliconControlledRectifiers ReverseBlockingThyristors GlassivatedPNPNdevicesdesignedforhighvolumeconsumerapplicationssuchastemperature,light,andspeedcontrol;processandremotecontrol,andwarningsystemswherereliabilityofoperationisimportant. Features	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
C106M1	文件：111.06 Kbytes Page：2 Pages	The Type C106 Silicon Controlled Rectifier	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
C106M2	文件：111.06 Kbytes Page：2 Pages	The Type C106 Silicon Controlled Rectifier	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
C106M3	文件：111.06 Kbytes Page：2 Pages	The Type C106 Silicon Controlled Rectifier	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

详细参数

型号：
C106M
功能描述：
SCR 600V 4A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics 最大转折电流
IBO：
480 A 额定重复关闭状态电压
VDRM：
600 V
关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）：
5 uA
开启状态：
RMS
正向电压下降：
1.6 V
栅触发电压(Vgt)：
1.3 V
最大栅极峰值反向电压：
5 V
栅触发电流(Igt)：
35 mA 保持电流（Ih
最大值）：
75 mA
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
TO-220
封装：
Tube

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