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C106M	文件：62.44 Kbytes Page：6 Pages	Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors Glassivated PNPN devices designed for high volume consumer applications such as temperature, light, and speed control; process and remote control, and warning systems where reliability of operation is important. Features 文件：62.44 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
C106M1	文件：62.44 Kbytes Page：6 Pages	Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors Glassivated PNPN devices designed for high volume consumer applications such as temperature, light, and speed control; process and remote control, and warning systems where reliability of operation is important. Features 文件：62.44 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
C106M1	文件：58.04 Kbytes Page：1 Pages	SCRs SCRs 文件：58.04 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
C106M1	文件：426.88 Kbytes Page：2 Pages	SILICON CONTROLLED RECTIFIER DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR C106A1 series are PNPN silicon controlled rectifiers designed for applications such as temperature, light, speed control, process and remote control, and warning systems where reliability of operation is important. 文件：426.88 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
C106M1G	文件：62.44 Kbytes Page：6 Pages	Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors Glassivated PNPN devices designed for high volume consumer applications such as temperature, light, and speed control; process and remote control, and warning systems where reliability of operation is important. Features 文件：62.44 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
C106M1G	文件：257.22 Kbytes Page：2 Pages	iscThyristors FEATURES · Flat, Rugged, ThermopadConstruction for LowThermal Resistance, HighHeat Dissipation andDurability · Practical LevelTriggering APPLICATIONS · Heating controls · High power motor control · High power switching 文件：257.22 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
C106M2	文件：257.88 Kbytes Page：2 Pages	SENSITIVE GATE SILICON CONTROLLED RECTIFIER 4 AMP, 200 THRU 600 VOLTS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR C106B2 Series types are 4.0A, PNPN sensitive gate triggering silicon controlled rectifiers with voltages ranging from 200V to 600V. These devices are designed for applications such as temperature, light and speed control, and remote warning and triggerin 文件：257.88 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
C106MG	文件：62.44 Kbytes Page：6 Pages	Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors Glassivated PNPN devices designed for high volume consumer applications such as temperature, light, and speed control; process and remote control, and warning systems where reliability of operation is important. Features 文件：62.44 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
C106N	文件：37.12 Kbytes Page：1 Pages	4-A Sensitive-Gate Silicon Controlled Rectifiers 4-A Sensitive-Gate Silicon Controlled Rectifiers For Power-Switching and Control Application 文件：37.12 Kbytes 页数：1 Pages	GESS	GESS
C106Q	文件：156.45 Kbytes Page：3 Pages	SILICON CONTROLLED RECTIFIER SILICON CONTROLLED RECTIFIER Available Non-RoHS (standard) or RoHS compliant (add PBF suffix). Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number. 文件：156.45 Kbytes 页数：3 Pages	DIGITRON	DIGITRON

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替换型号

晶体管资料

型号：
C106
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
1.2MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.25W
放大倍数：
图片代号：
D-12
vtest：
30
htest：
1200000
atest：
0.05
wtest：
0.25

技术参数

Case：
TO-202
Configuration/ Description：
SCR
VDRM MAX：
100V
IT(RMS) MAX：
4A
ITSM MAX：
20A
IGT MAX：
200μA
VGT MAX：
0.8V
IH MAX：
3mA
VTM MAX：
2.2V
@ITM：
4A

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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