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C0603C103J5RAC	文件：181.51 Kbytes Page：9 Pages	GalliumArsenideCATVIntegratedAmplifierModule Description •24VdcSupplyor12VdcSupplywithBiasChange,40to870MHz,CATVIntegratedForwardAmplifierModule Features •Specifiedfor79-,112-and132-ChannelLoading •ExcellentDistortionPerformance •Built-inInputDiodeProtection •GaAsFETTransistorTechnology •Unconditi	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：493.8 Kbytes Page：15 Pages	HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) BroadbandHighLinearityAmplifier TheMMG3002NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissu	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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