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C0603C103J5RAC	文件：478.77 Kbytes Page：24 Pages	HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) 400--2400MHz,17.5dB33dBmInGaPHBTGPA TheMMG3006NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputprematchedanddesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom400to2400M	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：416.05 Kbytes Page：14 Pages	HeterojunctionBipolarTransistor(InGaPHBT) 0--6000MHz,15dB15dBmInGaPHBTGPA TheMMG3011NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0to6	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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产品属性

产品编号：
C0603C103J5RAL7867
制造商：
KEMET
类别：
电容器 > 陶瓷电容器
系列：
SMD Comm X7R SnPb
包装：
卷带（TR）
容差：
±5%
电压 - 额定：
50V
温度系数：
X7R
工作温度：
-55°C ~ 125°C
应用：
高可靠性，旁通，去耦
安装类型：
表面贴装，MLCC
封装/外壳：
0603（1608 公制）
大小 / 尺寸：
0.063" 长 x 0.031" 宽（1.60mm x 0.80mm）
厚度（最大值）：
0.034"（0.87mm）
描述：
CAP CER 10000PF 50V X7R 0603

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