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BZX85B12G	文件：40.2 Kbytes Page：2 Pages	ZENER DIODES VZ:3.6to200V PD:1.3W FEATURES: •Siliconplanarpowerzenerdiodes. •Foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhigh powerrating. •Standardzenervoltagetoleranceis±2 •Othertolerancesareavailableuponrequest. •Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
BZX85B12-TAP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-204AL，DO-41，轴向；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 12V 1.3W DO41	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BZX85B12-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-204AL，DO-41，轴向；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 12V 1.3W DO41	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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BZX85B12G

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ZENER DIODES

VZ:3.6to200V PD:1.3W FEATURES: •Siliconplanarpowerzenerdiodes. •Foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhigh powerrating. •Standardzenervoltagetoleranceis±2 •Othertolerancesareavailableuponrequest. •Pb/RoHSFree

EIC

EIC discrete Semiconductors

EIC

BZX85B12-TAP

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Package：DO-204AL，DO-41，轴向；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 12V 1.3W DO41

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

BZX85B12-TR

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Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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技术参数

VZ@IZT(V)：
120
IZT(mA)：
2
ZZT@IZT(Ω)：
550
ZZK@IZK(Ω)：
4500
IZK(mA)：
0.25
IR@VR(µA)：
0.5
IR@VR(V)：
91

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	BZX85B12	EIC	23+	NA	39960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
北京天阳诚业科贸有限公司	BZX85B12	ST(先科)	24+	con	35960	查现货到京北通宇商城	询价
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技术参数

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