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BZX84C6V2W	文件：680.91 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountZenerDiode Features: PlanarDieConstruction 200mWPowerDissipationonFR-4PCB Generalpurpose,MediumCurrent IdeallySuitedforAutomatedAssembly	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BZX84C6V2W	文件：143.58 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BZX84C6V2W	文件：340.77 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountZenerVoltageRegulatorDiodes FEATURES •Planardieconstruction •200mWpowerdissipation •Zenervoltagesfrom2.4V-39V •Ultra-smallsurfacemountpackagepowerdissipation	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BZX84C6V2W	文件：98.18 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BZX84C6V2W	文件：243.73 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPLANARZENERDIODES SILICONPLANARZENERDIODES	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
BZX84C6V2W	文件：103.87 Kbytes Page：3 Pages	200mWSURFACEMOUNTZENERDIODE	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BZX84C6V2W	文件：79.91 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VOLTAGE2.4to75VoltsPOWER200mWatts FEATURES •PlanarDieconstruction •200mWPowerDissipation •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BZX84C6V2W	文件：125.22 Kbytes Page：4 Pages	Silicon200mWattZenerDiodes Features •PlanarDieconstruction •200mWPowerDissipation •ZenerVoltagesfrom2.4V-39V •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BZX84C6V2W	文件：59.61 Kbytes Page：3 Pages	200mWSURFACEMOUNTZENERDIODE Features •PlanarDieConstruction •200mWPowerDissipation •ZenerVoltagesfrom2.4V–39V •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note7) •GreenDevice(Notes1and2)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BZX84C6V2W	文件：182.63 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTZENERDIODEVOLTAGERANGE2.4to39VoltsPOWERRATING200mWatts	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON

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详细参数

型号：
BZX84C6V2S
功能描述：
稳压二极管 6.2V 200mW
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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