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BZX84B6V8-TP	文件：312.04 Kbytes Page：6 Pages	Silicon 350 mWatt Zener Diodes	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BZX84B6V8-TP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 6.8V 350MW SOT23	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BZX84B6V8-V	文件：452 Kbytes Page：10 Pages	SmallSignalZenerDiodes FEATURES •Thesediodesarealsoavailableinothercasestylesandotherconfigurationsincluding:theSOD-123casewithtypedesignationBZT52series,thezenerdiodecommonanodeconfigurationintheSOT-23casewithtypedesignationAZ23seriesandthezenerdiodecommoncathodeconfiguration	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BZX84B6V8-V	文件：136.2 Kbytes Page：9 Pages	SmallSignalZenerDiodes FEATURES •Thesediodesarealsoavailableinothercasestylesandotherconfigurationsincluding:theSOD-123casewithtypedesignationBZT52series,thezenerdiodecommonanodeconfigurationintheSOT-23casewithtypedesignationAZ23seriesandthezenerdiodecommoncathodeconfiguration	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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BZX84B6V8-V-G	文件：118.27 Kbytes Page：8 Pages	SmallSignalZenerDiodes FEATURES •SiliconplanarpowerZenerdiodes •ThezenervoltagesaregradedaccordingtotheinternationalE24standard.Standardzenervoltagetoleranceis±5.Replace“C”with“B”for2tolerance. •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordanceto	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BZX84B6V8W	文件：104.14 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES FEATURES •PlanarDieconstruction •200mWPowerDissipation •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
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产品属性

产品编号：
BZX84B6V8-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
包装：
卷带（TR）
容差：
±2%
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
DIODE ZENER 6.8V 350MW SOT23

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