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BZX84B3V6	文件：114.18 Kbytes Page：8 Pages	SmallSignalZenerDiodes FEATURES •Thesediodesarealsoavailableinothercasestylesandotherconfigurationsincluding:theSOD-123casewithtypedesignationBZT52series,thezenerdiodecommonanodeconfigurationintheSOT-23casewithtypedesignationAZ23seriesandthezenerdiodecommoncathodeconfiguration	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BZX84B3V6	文件：310.57 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountZenerDiode FEATURES ●PlanarDieConstruction. ●350mwPowerDissipation. ●ZenerVoltagesFrom2.4V-51V ●IdeallySuitedForAutomatedAssemblyPrcesses. APPLICATIONS ●350MwSurfacemountzenerdiode	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
BZX84B3V6	文件：832.02 Kbytes Page：4 Pages	SMALLSIGNALZENERDIODES225mWATTS FEATURES ●Non-wirebondingstructureimproves ●Highdemandvoltagerange(3.6V-36V) ●ThisisaPb-Freedevice	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BZX84B3V6	文件：228.75 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANARZENERDIODES ThisseriesofZenerdiodesisofferedintheconvenient,surfacemountplasticSOT-23package.Thesedevicesaredesignedtoprovidevoltageregulationwithminimumspacerequirement.Theyarewellsuitedforapplicationssuchascellularphones,handheldportables,andhighdensityPCboards.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BZX84B3V6	文件：114.71 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES FEATURES •PlanarDieconstruction •410mWPowerDissipation •ZenerVoltagesfrom2.4~75V •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BZX84B3V6	文件：120.16 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNT350mWSILICONZENERDIODE2.4VOLTSTHRU47VOLTS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBZX84C2V4SeriesaresurfacemountsiliconZenerdiodes.Thesehighqualityvoltageregulatingdiodesaredesignedforuseinindustrial,commercial,entertainmentandcomputerapplications. MARKINGCODE:SEEMARKINGCODEONELECTRICALCHARACTERISTICSTABLE	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BZX84B3V6	文件：2.75932 Mbytes Page：6 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateZenerDiodes Features PlanarDieConstruction 300mWPowerDissipation ZenerVoltagesfrom2.4Vto39V Ultra-SmallSurfaceMountPackagePowerDissipation	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
BZX84B3V6	文件：77 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountZenerVoltageRegulatorDiodes FEATURES •PlanarDieConstruction •300mWPowerDissipationonFR-5PCB •GeneralPurpose,MediumCurrent •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcess •ZenerVoltagesfrom2.4V–39V •Ultra-SmallSurfaceMountPackagePowerDissipation	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
BZX84B3V6	文件：1.79602 Mbytes Page：5 Pages	ZENERDIODES ZENERDIODES FEATURES ●PlanarDieConstruction ●300mWPowerDissipation ●ZenerVoltagesfrom2.4V-39V ●Ultra-SmallSurfaceMountPackagePowerDissipation	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BZX84B3V6	文件：95.77 Kbytes Page：4 Pages	350mWSURFACEMOUNTPRECISIONZENERDIODE	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

详细参数

型号：
BZX84B3V6-V
功能描述：
稳压二极管 3.6 Volt 0.35Watt 2%
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

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