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BZX55C3V9	文件：317.09 Kbytes Page：3 Pages	ZENER DIODES ZenerVoltage:2.4-180VPeakPulsePower:500mW FEATURE ♦Lowzenerimpedance ♦Lowregulationfactor ♦Glasspassivatedjunction ♦Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10S/9.5mmleadlengthat5lbstension	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
BZX55C3V9	文件：165.81 Kbytes Page：3 Pages	AXIAL SILASTIC GUARD JUNCTION STANDARD RECTIFIER SILICONPLANARZENERDIODES TheZenervoltagesaregradedaccordingtotheinternationalE24standard.OthertolerancesandhigherZenervoltagesareuponrequest.	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛电子深圳市平盛电子有限公司	PFS
BZX55C3V9	文件：41.85 Kbytes Page：2 Pages	SILICON ZENER DIODES FEATURES: Complete2.0to100Volts Highsurgecurrentcapability Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
BZX55C3V9	文件：80.06 Kbytes Page：3 Pages	AXIAL LEAD ZENER DIODES VOLTAGE2.4to100VoltsPOWER500mWatts FEATURES •PlanarDieconstruction •500mWPowerDissipation •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BZX55C3V9	文件：70.93 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes FEATURES •Verysharpreversecharacteristic •Lowreversecurrentlevel •Veryhighstability •Lownoise •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandin accordancetoWEEE2002/96/EC •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21definition APPLICATIONS •Voltagest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BZX55C3V9	文件：195.51 Kbytes Page：5 Pages	Zener Diodes ■Features ●Ptot500mW ●Vz2.4V-75V ■Applications ●StabilizingVoltage	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
BZX55C3V9	文件：28.08 Kbytes Page：2 Pages	SILICON ZENER DIODES VZ:2.4-200Volts PD:500mW FEATURES: Complete2.4to200Volts Highsurgecurrentcapability Highpeakreversepowerdissipation Highreliability *Lowleakagecurrent	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
BZX55C3V9	文件：695.33 Kbytes Page：3 Pages	Low zener impedance ZenerVoltage:2.4-180VPeakPulsePower:500mW FEATURE •Lowzenerimpedance •Lowregulationfactor •Glasspassivatedjunction •Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10S/9.5mmleadlengthat5lbstension	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
BZX55C3V9	文件：1.12858 Mbytes Page：2 Pages	500mW Axial Leaded Small Signal Zener Diodes Features ●Verysharpreversecharacteristic ●Lowreversecurrentlevel ●Veryhighstability ●Lownoise ●Availablewithtightertolerances ●Lead(Pb)-freecomponent ●ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
BZX55C3V9	文件：102.99 Kbytes Page：2 Pages	SILICON PLANAR ZENER DIODES SiliconPlanarZenerDiodes TheZenervoltagesaregradedaccordingtotheinternationalE24standard.OthervoltagetolerancesandhigherZenervoltagesonrequest.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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产品属性

产品编号：
BZX55C3V9
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
包装：
散装
容差：
±5%
工作温度：
-65°C ~ 200°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装：
DO-35
描述：
DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BZX55C3V9供应商更新时间2025-7-23 16:30:00

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