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CPDH3V3UP	文件：167.93 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode Features IEC61000-4-2(ESD)±15kV(Contact),±20kV(Air). Workingvoltage:3.3V Lowleakagecurrent. Lowoperatingandclampingvoltages. Mechanicaldata Case:SOD-523standardpackage,moldedplastic. Terminals:Goldplated,solderableperMIL-STD-750,method2026. Mounti	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDH3V3UP-HF	文件：94.91 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode RoHSDevice HalogenFree Features -IEC61000-4-2Level4ESDprotection. -Workingvoltage:3.3V -Lowleakagecurrent. -Lowoperatingandclampingvoltages. Mechanicaldata -Case:SOD-523standardpackage,moldedplastic. -Terminals:SolderableperMIL-STD-750,method2026. -Marking	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDQ3V3-HF	文件：113.46 Kbytes Page：6 Pages	IEC61000-4-2Level4ESDprotection.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDQ3V3U-HF	文件：110.61 Kbytes Page：6 Pages	SMDESDProtectionDiode RoHSDevice HalogenFree Features -IEC61000-4-2Level4ESDprotection. -ESDRatingofClass3(>16kV)perHumanBodyMode. -Lowbodyheight:0.017”(0.43mm) -LowLeakage Mechanicaldata -Epoxy:MeetsUL94V-0 -Case:0402/SOD-923Fsmalloutlineplasticpackage.moldedplastic. -Term	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDQC3V3A-HF	文件：332.98 Kbytes Page：4 Pages	1-CHANNELULTRALOWCAPACITANCEESDDIODE Features Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:3.3V Lowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: –IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±25kV Contactdischarge:±20kV –IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) –IEC61000-4-5(Lightning)4A(8/20μs) RoHSCompliant	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
CPDQC3V3A-HF	文件：469.33 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode Features -Bi-directionalESDprotection. -IEC61000-4-5(surge);IPP=4A -IEC61000-4-2(ESD);±20KV(contact) -Lowclampingvoltage. -Lowleakagecurrent.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDQC3V3AS-HF	文件：471.91 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode Features -Bi-directionalESDprotection. -Surfacemountpackage. -UltrasmallSMDpackage. -Highcomponentdensity.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDQC3V3AU-HF	文件：471.35 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode Features -Uni-directionalESDprotection. -Lowclampingvoltage. -Lowleakagecurrent. -IEC61000-4-2(ESD);±20KV(contact) -IEC61000-4-5(surge);Ipp=4A	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDQC3V3C-HF	文件：121.43 Kbytes Page：5 Pages	SMDESDProtectionDiode	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDQC3V3C-HF	文件：2.83914 Mbytes Page：4 Pages	BIDIRECTIONALTVSDIODE Features Protectsonedataline Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:3.3V Ultralowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: –IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±30kV Contactdischarge:±30kV –IEC61000-4-5(Lightning)8A(8/20μs) RoHSCompliant App	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH

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详细参数

型号：
BZX3V3
功能描述：
SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市腾亿芯科技有限公司	BZX4.7V	ST	25+	DO-35	16900	原装，请咨询	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	BZX46C110V	NB	23+		10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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