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BZW06-102B	文件：49.6 Kbytes Page：4 Pages	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSOR FEATURES: 600Wsurgecapabilityat1ms Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance Fastresponsetime:typicallylessthen1.0psfrom0volttoVBR(min) TypicalIRlessthen1mAabove10V Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
BZW06-102B	文件：82.93 Kbytes Page：4 Pages	Transient Voltage Suppressor Diodes Features ◇ULRecognizedFile#E-96005 ◇PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ◇ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-STD-19500 ◇600Wsurgecapabilityat10x100uswaveform,dutycycle:0.01 ◇Excellentclampingcapability ◇Lowzenerimpedance	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BZW06-102B	文件：172.62 Kbytes Page：6 Pages	TRANSIL Description Transildiodesprovidehighovervoltageprotectionbyclampingaction. TheirinstantaneousresponsetotransientovervoltagesmakesthemparticularlysuitedtoprotectvoltagesensitivedevicessuchasMOStechnologyandlowvoltagesuppliedIC’s. Features ●600Wpeakpulsepower	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BZW06-102B	文件：123.4 Kbytes Page：3 Pages	TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR BREAKDOWNVOLTAGE:5.8---376V PEAKPULSEPOWER:600W FEATURES ◇PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ◇Glasspassivatedjunction ◇600Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000µswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ◇Excellentclamping	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BZW06-102B	文件：91.1 Kbytes Page：2 Pages	600 Watts Transient Voltage Suppressor Diodes 600WattsTransientVoltageSuppressorDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BZW06-102B	文件：176.78 Kbytes Page：6 Pages	TRANSIL Description Transildiodesprovidehighovervoltageprotectionbyclampingaction. TheirinstantaneousresponsetotransientovervoltagesmakesthemparticularlysuitedtoprotectvoltagesensitivedevicessuchasMOStechnologyandlowvoltagesuppliedIC’s. Features ●600Wpeakpulsepower	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BZW06-102B	文件：446.17 Kbytes Page：9 Pages	Unidirectional and bidirectional types Description Transildiodesprovidehighovervoltageprotectionbyclampingaction. TheirinstantaneousresponsetotransientovervoltagesmakesthemparticularlysuitedtoprotectvoltagesensitivedevicessuchasMOStechnologyandlowvoltagesuppliedIC’s. Features ●600Wpeakpulsepower	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BZW06-102B	文件：176.78 Kbytes Page：6 Pages	PEAK PULSE POWER 600 W (10/1000ms) Description Transildiodesprovidehighovervoltageprotectionbyclampingaction. TheirinstantaneousresponsetotransientovervoltagesmakesthemparticularlysuitedtoprotectvoltagesensitivedevicessuchasMOStechnologyandlowvoltagesuppliedIC’s. Features ●600Wpeakpulsepower	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BZW06-102B	文件：3.75324 Mbytes Page：3 Pages	Voltage regulator dides FEATURES ■PEAKPULSEPOWER:400W(10/1000µs) ■STAND-OFFVOLTAGERANGE:From5.8Vto376V ■UNIANDBIDIRECTIONALTYPES ■LOWCLAMPINGFACTOR ■FASTRESPONSETIME ■ULRECOGNIZED	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司	TAYCHIPST
BZW06-102B	文件：467.69 Kbytes Page：4 Pages	AXIAL LEADED TRANSIENT VOLTAGE SUPPERSSOR VOLTAGERANGE:5.8-376V POWER:600Watts Features ●GlassPassivatedDieConstruction ●ExcellentClampingCapability ●FastResponseTime ●PlasticCaseMaterialhasULFlammabilityClassificationRating94V-O	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE

详细参数

型号：
BZW06-102B
功能描述：
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 10V 600W 5% Bidir
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
极性：
Bidirectional
击穿电压：
58.9 V
钳位电压：
77.4 V
峰值浪涌电流：
38.8 A
封装/箱体：
DO-214AB
最小工作温度：
- 55 C
最大工作温度：
+ 150 C

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