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BZW04P58	文件：105.84 Kbytes Page：6 Pages	TRANSZORB® Transient Voltage Suppressors FEATURES • Glass passivated chip junction • Available in uni-directional and bi-directional • 400 W peak pulse power capability with a 10/1000 μs waveform, repetitive rate (duty cycle): 0.01 • Excellent clamping capability • Very fast response time • Low incremental surge resistance • Sold 文件：105.84 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
BZW04P58	文件：51.53 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR VBR : 6.8 - 440 Volts PPK : 400 Watts FEATURES : * 400W surge capability at 1ms * Excellent clamping capability * Low zener impedance * Fast response time : typically less then 1.0 ps from 0 volt to VBR(min) * Typical IR less then 1mA above 10V 文件：51.53 Kbytes 页数：4 Pages	EIC	EIC
BZW04P58	文件：113.51 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR BREAKDOWN VOLTAGE: 5.8 --- 376 V PEAK PULSE POWER: 400 W FEATURES ♦ Plastic package has underwriters laboratory flammability classification 94V-0 ♦ Glass passivated junction ♦ 400W peak pulse power capability with a 10/1000μs waveform, repetition rate (duty cycle): 0.01 ♦ Excellent clamping c 文件：113.51 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
BZW04P58	文件：55.6 Kbytes Page：4 Pages	TRANSZORB??TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR Stand-off Voltage - 5.8 to 376 Volts Peak Pulse Power - 400 Watts FEATURES ♦ Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 ♦ Glass passivated chip junction ♦ 400W peak pulse power capability with a 10/1000µs waveform, repetition rate (duty cycle): 0.0 文件：55.6 Kbytes 页数：4 Pages	GE	GE
BZW04P58	文件：189.68 Kbytes Page：4 Pages	Transient Voltage Suppressor BREAKDOWN VOLTAGE: 5.8 --- 376 V PEAK PULSE POWER: 400 W Features ♦ Plastic package has underwriters laboratory flammability classification 94V-0 ♦ Glass passivated junction ♦ 400W peak pulse power capability with a 10/1000μs waveform, repetition rate (duty cycle): 0.01 ♦ Excellen 文件：189.68 Kbytes 页数：4 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BZW04P58	文件：3.83248 Mbytes Page：4 Pages	Transient Voltage Suppressors FEATURES • Glass passivated chip junction • Available in uni-directional and bi-directional • 400 W peak pulse power capability with a 10/1000 µs waveform, repetitive rate (duty cycle): 0.01 • Excellent clamping capability • Very fast response time • Low incremental surge resist 文件：3.83248 Mbytes 页数：4 Pages	TAYCHIPST 泰迪斯电子	TAYCHIPST
BZW04P58	文件：509.04 Kbytes Page：4 Pages	AXIAL LEADED TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS DIODES 文件：509.04 Kbytes 页数：4 Pages	SUNMATE 森美特	SUNMATE
BZW04P58	文件：200.66 Kbytes Page：4 Pages	GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 文件：200.66 Kbytes 页数：4 Pages	MDE	MDE
BZW04P58	文件：393.28 Kbytes Page：6 Pages	TransZorb Transient Voltage Suppressors 文件：393.28 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
BZW04P58	文件：300 bytes Page：1 Pages	58.1V,400W, TVS	Galaxy 银河微电	Galaxy

技术参数

AEC Qualified：
NO
Pb Free：
YES
Halide free：
NO
Reach：
YES
RoHS：
YES
Marketing Status：
Active
Configuration：
Uni-directional
Condition：
10/1000us
PPK(W)：
400
VRWM(V)max.：
58.1
VBR(V)min.：
64.6
VBR (V)max.：
74.8
VC(V)max.：
92
IPP(A)：
4.3
IR(uA)max.：
1
TJ(°C)max.：
150
TJ(°C)min.：
-55
ECCN(US)：
EAR99
Category：
瞬态电压抑制二极管

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BZW04P58供应商更新时间2025-8-28 16:26:00

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