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BZVSLASHZMM55C3V0	文件：272.03 Kbytes Page：3 Pages	ZENER DIODES Features Lowzenerimpedance Lowregulationfactor Glasspassivatedjunction Hightemperaturesolderingguaranteed: 260C/10Satterminals	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
BZX55C3V0	文件：196.52 Kbytes Page：5 Pages	SILICONPLANARZENERDIODE	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
BZX55C3V0	文件：60.5 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANARZENERDIODES FEATURES ·VoltageRange:2.7Vto75V ·Doublesiugtypeconstruction	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
BZX55C3V0	文件：1.12858 Mbytes Page：2 Pages	500mWAxialLeadedSmallSignalZenerDiodes Features ●Verysharpreversecharacteristic ●Lowreversecurrentlevel ●Veryhighstability ●Lownoise ●Availablewithtightertolerances ●Lead(Pb)-freecomponent ●ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
BZX55C3V0	文件：101.61 Kbytes Page：7 Pages	SmallSignalZenerDiodes FEATURES •Verysharpreversecharacteristic •Lowreversecurrentlevel •Veryhighstability •Lownoise •AEC-Q101qualified •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Voltagestabilization	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BZX55C3V0	文件：104.59 Kbytes Page：4 Pages	SILIICONPLANARZENERDIODES BZX55C2.4Vto120V500mW BestsuitedforIndustrial,MilitaryandSpaceApplications.Theglasspassivateddiodechipinthehermeticallysealedglasspackagewithdoublestudsprovidesexcellentstabilityandreliability.	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BZX55C3V0	文件：146.16 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANARZENERDIODES Features SiliconPlanarZenerDiodes TheZenervoltagesaregradedaccordingtotheinternational E24standard.OthervoltagetolerancesandhigherZener voltagesonrequest.	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
BZX55C3V0	文件：168.22 Kbytes Page：3 Pages	500mWZENERDIODE Features •VerySharpReverseCharacteristic •LowReverseCurrentLevel •VeryHighStability •LowNoise	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BZX55C3V0	文件：116.1 Kbytes Page：4 Pages	0.5WSILICONPLANARZENERDIODES FEATURES .ThezenervoltagearegradedaccordingtotheinternationalE24standard.Othervoltagetoleranceandhigherzenervoltageonrequest.	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
BZX55C3V0	文件：28.08 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:2.4-200Volts PD:500mW FEATURES: Complete2.4to200Volts Highsurgecurrentcapability Highpeakreversepowerdissipation Highreliability *Lowleakagecurrent	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC

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