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BZV55-B2V4分立半导体产品二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料

BZV55-B2V4
厂商型号

BZV55-B2V4

参数属性

BZV55-B2V4 封装/外壳为DO-213AC,MINI-MELF,SOD-80;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单;产品描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW LLDS

功能描述

Voltage regulator diodes
DIODE ZENER 2.4V 500MW LLDS

文件大小

1.0324 Mbytes

页面数量

13

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-23 22:58:00

BZV55-B2V4规格书详情

Features and benefits

 Non-repetitive peak reverse power

dissipation:  40 W

 Total power dissipation:  500 mW

 Two tolerance series: 2 and 5

 Wide working voltage range:

nominal 2.4 V to 75 V (E24 range)

 Low differential resistance

 Small hermetically sealed glass

SMD package

BZV55-B2V4属于分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单。安世半导体(中国)有限公司制造生产的BZV55-B2V4二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作,并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途,还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀,但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BZV55-B2V4,115

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 容差:

    ±2%

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    DO-213AC,MINI-MELF,SOD-80

  • 供应商器件封装:

    LLDS;MiniMelf

  • 描述:

    DIODE ZENER 2.4V 500MW LLDS

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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