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BZT52B51JS	文件：540.2 Kbytes Page：4 Pages	200 mW Zener Diode 3.0 to 75 Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BZT52B51LS	文件：607.43 Kbytes Page：4 Pages	200 mW Zener Diode 2.4~75 Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BZT52B51S	文件：238.32 Kbytes Page：6 Pages	200mW, 2 Tolerance SMD Zener Diode	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BZT52B51-E3-08	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOD-123；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 51V 410MW SOD123	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BZT52B51-E3-18	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOD-123；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 51V 410MW SOD123	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BZT52B51-G3-08	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOD-123；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 51V 410MW SOD123	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

详细参数

型号：
BZT52B51
功能描述：
稳压二极管 51 Volt 410mW 2%
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

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