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BZV55C3V3	文件：24.83 Kbytes Page：1 Pages	LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •ZENERDIODES •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION •METALLURGICALLYBONDED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
BZV55C3V3	文件：240.02 Kbytes Page：5 Pages	5ToleranceSMDZenerDiode	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BZV55C3V3	文件：211.76 Kbytes Page：4 Pages	500mW.HermeticallySealedGlassZenerVoltageRectifiers Features ◇Zenervoltagerange2.0to75volts ◇LL-34(Mini-MELF)package ◇Surfacedevicetypemounting ◇Hermeticallysealedglass ◇CompressionBondedConstruction ◇Allexternalsurfacesarecorrosionresistantandterminalsarereadilysolderable ◇RoHScompliant ◇MatteTin(Sn)lead	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BZV55C3V3	文件：421.79 Kbytes Page：3 Pages	500mWZenerDiode2.0to75Volts Features •Smallsurfacemountingtype •Highreliability •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation)	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BZV55C3V3	文件：175.8 Kbytes Page：4 Pages	ZENERDIODES ZenerVoltage:2.4-180VPeakPulsePower:500mW FEATURE ♦Lowzenerimpedance ♦Lowregulationfactor ♦Glasspassivatedjunction ♦Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10Satterminals ♦ThisisaPb-FreeDevice ♦AllSMCpartsaretraceabletothewaferlot ♦Additionaltesting	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属	SMC
BZV55C3V3	文件：215.22 Kbytes Page：3 Pages	SealedGlassZenerVoltageRegulators FEATURES •ZenerVoltageRange2.0to75Volts •Mini-MELFPackage •SurfaceDeviceTypeMounting •HermeticallySealedGlass •CompressionBondedConstruction •AllExternalSurfacesAreCorrosionResistantAnd TerminalsAreReadilySolderable •MatteTin(Sn)TerminalFinish •Color	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
BZVSLASHZMM55C3V3	文件：272.03 Kbytes Page：3 Pages	ZENERDIODES Features Lowzenerimpedance Lowregulationfactor Glasspassivatedjunction Hightemperaturesolderingguaranteed: 260C/10Satterminals	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
BZX55C3V3	文件：28.08 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:2.4-200Volts PD:500mW FEATURES: Complete2.4to200Volts Highsurgecurrentcapability Highpeakreversepowerdissipation Highreliability *Lowleakagecurrent	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
BZX55C3V3	文件：70.93 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZ-Diodes FEATURES •Verysharpreversecharacteristic •Lowreversecurrentlevel •Veryhighstability •Lownoise •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandin accordancetoWEEE2002/96/EC •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21definition APPLICATIONS •Voltagest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BZX55C3V3	文件：168.22 Kbytes Page：3 Pages	500mWZENERDIODE Features •VerySharpReverseCharacteristic •LowReverseCurrentLevel •VeryHighStability •LowNoise	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

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深圳市科雨电子有限公司	BZS55C3V3RXG	TAIWAN	1809+	1206	16750	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
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