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BZD27C3V9P-M分立半导体产品的二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

BZD27C3V9P-M

参数属性

BZD27C3V9P-M 封装/外壳为DO-219AB;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单;产品描述:DIODE ZENER 3.9V 800MW DO219AB

功能描述

Zener Diodes with Surge Current Specification

封装外壳

DO-219AB

文件大小

112.33 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世

网址

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更新时间

2025-10-11 20:00:00

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BZD27C3V9P-M规格书详情

FEATURES

• Sillicon planar Zener diodes

• Low profile surface-mount package

• Zener and surge current specification

• Low leakage current

• Excellent stability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C

• Meets JESD 201 class 2 whisker test

• ESD capability according to AEC-Q101:

   human body model: > 8 kV

   machine model: > 800 V

• Wave and reflow solderable

• AEC-Q101 qualified

• Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant, and commercial grade

• Base P/N-HM3 - halogen-free, RoHS-compliant, and automotive grade (available on request)

• Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

产品属性

  • 产品编号:

    BZD27C3V9P-M-18

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单

  • 系列:

    BZD27-M

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 工作温度:

    -65°C ~ 175°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    DO-219AB

  • 供应商器件封装:

    DO-219AB(SMF)

  • 描述:

    DIODE ZENER 3.9V 800MW DO219AB

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