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BZD27C3V9P分立半导体产品的二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料

BZD27C3V9P
厂商型号

BZD27C3V9P

参数属性

BZD27C3V9P 封装/外壳为DO-219AB;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单;产品描述:DIODE ZENER 3.9V 800MW DO219AB

功能描述

VOLTAGE REGULATOR DIODES

封装外壳

DO-219AB

文件大小

208.91 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
企业简称

BILIN银河微电

中文名称

常州银河世纪微电子股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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BZD27C3V9P规格书详情

FEATURES

● Sillicon planar zener diodes.

● Low profile surface-mount package.

● Zener and surge current specification

● Low leakage current

● Excellent stability

● High temperature soldering guaranteed: 265℃/10 seconds, at terminals

产品属性

  • 产品编号:

    BZD27C3V9P-E3-18

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单

  • 系列:

    BZD27C

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 工作温度:

    -65°C ~ 175°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    DO-219AB

  • 供应商器件封装:

    DO-219AB(SMF)

  • 描述:

    DIODE ZENER 3.9V 800MW DO219AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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