| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
- 厂家型号：
BYM200B170DN2
- 产品分类：
芯片
- 生产厂商：
- 库存数量：
2250
- 产品封装：
IGBT
- 生产批号：
24+
- 库存类型：
- 更新时间：
2025-10-31 15:49:00
首页>BYM200B170DN2>芯片详情
BYM200B170DN2_INFINEON/英飞凌_IGBT 模块 N-CH 1.7KV 200A富诚威科技
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号：
BYM200B170DN2
- 功能描述：
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 200A
- RoHS：
否
- 制造商：
Infineon Technologies
- 产品：
IGBT Silicon Modules
- 配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO：
600 V
- 集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流：
230 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
445 W
- 最大工作温度：
+ 125 C
- 封装/箱体：
34MM
供应商
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