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BYG24G-E3/TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）封装/外壳：DO-214AC，SMA 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE AVALANCHE 400V 1.5A	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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BYG24G-E3	文件：90.05 Kbytes Page：4 Pages	FastAvalancheSMDRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技
SIHFIZ24G-E3	文件：4.82053 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
SIHFIZ24G-E3	文件：1.57762 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技
SIHFIZ24G-E3	文件：1.55986 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
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SIHLIZ24G-E3	文件：1.69739 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技

产品属性

产品编号：
BYG24G-E3/TR
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
二极管类型：
雪崩
电流 - 平均整流 (Io)：
1.5A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AC，SMA
供应商器件封装：
DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

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