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BUZ76	文件：140.6 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power Transistor SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated 文件：140.6 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BUZ76	文件：42.5 Kbytes Page：5 Pages	3A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET This is an N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. This 文件：42.5 Kbytes 页数：5 Pages	INTERSIL	INTERSIL
BUZ76	文件：67.54 Kbytes Page：2 Pages	High Input Impedance DESCRIPTION • 3A,400V • Drain Source Voltage- : VDSS= 200V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.8Ω(Max) • High Input Impedance • Majority Carrier Device APPLICATIONS • switching regulators, switching converters • motor drivers,relay drivers and drivers for high-power Bipo 文件：67.54 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUZ76	文件：174.98 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated 文件：174.98 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BUZ76A	文件：172.57 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated 文件：172.57 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BUZ76A	文件：42.88 Kbytes Page：5 Pages	2.6A, 400V, 2.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET This is an N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. This 文件：42.88 Kbytes 页数：5 Pages	INTERSIL	INTERSIL
BUZ76A	文件：67.27 Kbytes Page：2 Pages	SOA is Power Dissipation Limited DESCRIPTION ·2.6A, 400V ·SOA is Power Dissipation Limited ·Nanosecond Switching Speeds ·Linear Transfer Characteristics ·High Input Impedance ·Majority Carrier Device APPLICATIONS ·applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers,relay driver 文件：67.27 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUZ76A	文件：139.42 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated 文件：139.42 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BUZ76	文件：300 bytes Page：1 Pages	3A/ 400V/ 1.800 Ohm/ N-Channel Power MOSFET	Renesas 瑞萨	Renesas
BUZ76	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	NJS	NJS

技术参数

Minimum Operating Temperature：
-55°C
Maximum Power Dissipation：
40000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Gate Source Voltage：
±20V
Maximum Drain Source Voltage：
400V
Maximum Continuous Drain Current：
3A
Configuration：
Single
Channel Type：
N
Channel Mode：
Enhancement
Category：
Power MOSFET

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