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BUZ71A

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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Minimum Operating Temperature：

    -55°C

  • Maximum Power Dissipation：

    40000mW

  • Maximum Operating Temperature：

    150°C

  • Maximum Gate Source Voltage：

    ±20V

  • Maximum Drain Source Voltage：

    50V

  • Maximum Continuous Drain Current：

    13A

  • Material：

    Si

  • Configuration：

    Single

  • Channel Type：

    N

  • Channel Mode：

    Enhancement

  • Category：

    Power MOSFET

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