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BUZ42	文件：180.56 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated 文件：180.56 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BUZ42	文件：41.53 Kbytes Page：5 Pages	4A, 500V, 2.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET This is an N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. This 文件：41.53 Kbytes 页数：5 Pages	INTERSIL	INTERSIL
BUZ42	文件：66.21 Kbytes Page：2 Pages	SOA is Power Dissipation Limited 文件：66.21 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUZ42	文件：300 bytes Page：1 Pages	4A, 500V, 2.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET This is an N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. This ty	Renesas 瑞萨	Renesas
BUZ42	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	NJS 新泽西半导体	NJS
BUZ42	文件：300 bytes Page：1 Pages	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Minimum Operating Temperature：
-55°C
Maximum Power Dissipation：
75000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Gate Source Voltage：
±20V
Maximum Drain Source Voltage：
500V
Maximum Continuous Drain Current：
4A
Configuration：
Single
Channel Type：
N
Channel Mode：
Enhancement
Category：
Power MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BUZ42供应商更新时间2026-10-29 16:59:00

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