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Infineon(英飞凌)PG-TO263-3-2

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Infineon(英飞凌)PG-TO263-3-2

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Infineon(英飞凌)PG-TO263-3-2

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英飞凌TO-263

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深圳市佳芯扬电子有限公司

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SIEMENSMODULE

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深圳市昊创电子有限公司

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INFINEONTO-220

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深圳市利加科技有限公司

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XI.M.ZTO-220

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全新原装现货

深圳市亚泰盈科电子有限公司

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INFINEONTO-220

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原装现货

深圳市华来深电子有限公司

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INFINEONTO-220

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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十

中天科工半导体（深圳）有限公司

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BUZ30

Infineon/英飞凌TO-220

67500

20+

原装优势主营型号-可开原型号增税票

天津市博通航睿技术有限公司

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INFINEONTO-220

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深圳市弘为电子有限公司

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SIEMENSTO-3

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原装现货假一罚十

深圳市美一优科技有限公司

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BUZ30A

Infineon(英飞凌)NA

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原装，现货 终端客户可以月结

深圳市盈慧通电子有限公司

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BUZ306

STTO-3P

16900

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电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价

深圳市创盛芯科技有限公司

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BUZ30AH

INFINEON/英飞凌TO-220TO-263

423

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全新原装正品支持含税

深圳市纳艾斯科技有限公司

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BUZ30A

INFTO-263

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只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增

深圳市恒达亿科技有限公司

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BUZ30A

INFINEONTO-220

4500

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全新原装、诚信经营、公司现货销售

贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司

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BUZ309

飞英凌TO-3P

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BUZ30AH价格

BUZ30AH价格：￥5.7994品牌：Infineon

生产厂家品牌为Infineon的BUZ30AH多少钱，想知道BUZ30AH价格是多少？参考价：￥5.7994。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BUZ30AH批发价格及采购报价，BUZ30AH销售排行榜及行情走势，BUZ30AH报价。

BUZ309资讯

BUZ30A

场效应管 MOSFET N TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id 连续: 21A 漏源电压, Vds: 200V 在电阻RDS（上）: 130mohm 电压 @ Rds测量: 10V 阈值电压 Vgs: 3V 功耗 Pd: 125W 工作温度最小值: -

BUZ309中文资料Alldatasheet PDF

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BUZ307制造商:SIEMENS 功能描述:Transistor, Power

BUZ308制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk

BUZ309功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 2.8A I(D) | TO-218

BUZ30A功能描述:MOSFET N-CH 200V 21A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BUZ30A E3045A功能描述:MOSFET N-CH 200V 21A TO-263 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

BUZ30A H功能描述:MOSFET N-Channel 200V Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BUZ30A H3045A功能描述:MOSFET N-Channel 200V Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BUZ30A L3045A功能描述:MOSFET N-CH 200V 21A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BUZ30AE3045ANT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R

BUZ30AH制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220

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