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BUZ20	文件：90.67 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Power Transistor SIPMOS® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated 文件：90.67 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BUZ20	文件：42.14 Kbytes Page：5 Pages	12A, 100V, 0.200 Ohm, N-Channel Power MOSFET This is an N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. T 文件：42.14 Kbytes 页数：5 Pages	INTERSIL	INTERSIL
BUZ20	文件：66.64 Kbytes Page：2 Pages	Nanosecond Switching Speeds DESCRIPTION • 12A, 100V • rDS(ON) = 0.200Ω • SOA is Power Dissipation Limited • Nanosecond Switching Speeds • Linear Transfer Characteristics • High Input Impedance • Majority Carrier Device • Related Literature APPLICATIONS • This is an N-Channel enhancement mode silicon gate power 文件：66.64 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUZ20	文件：202.62 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) SIPMOS® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated 文件：202.62 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BUZ201	文件：47.31 Kbytes Page：2 Pages	SOA is Power Dissipation Limited DESCRIPTION • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.4Ω(Max) • SOA is Power Dissipation Limited APPLICATIONS designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers,relay drivers and drivers for high power bipolar switching transistor 文件：47.31 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUZ201	文件：177.95 Kbytes Page：6 Pages	main ratings Description : FREDFET with fast-recovery reverse diode, N-channel, enhancement mode 文件：177.95 Kbytes 页数：6 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BUZ202	文件：182.49 Kbytes Page：6 Pages	MAIN RATINGS Description : FREDFET with fast-recovery reverse diode, N-channel, enhancement mode 文件：182.49 Kbytes 页数：6 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BUZ202	文件：47.32 Kbytes Page：2 Pages	SOA is Power Dissipation Limited DESCRIPTION • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.5Ω(Max) • SOA is Power Dissipation Limited APPLICATIONS designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers,relay drivers and drivers for high power bipolar switching transistor 文件：47.32 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUZ205	文件：338.52 Kbytes Page：6 Pages	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode FREDFET) ●N channel ●Enhancement mode ●FREDFET 文件：338.52 Kbytes 页数：6 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BUZ205	文件：65.63 Kbytes Page：2 Pages	Easy driver for cost effective application DESCRIPTION • High speed switching • Low RDS(ON) • Easy driver for cost effective application APPLICATIONS • Automotive power actuator drivers • Motor controls • DC-DC converters 文件：65.63 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Minimum Operating Temperature：
-55°C
Maximum Power Dissipation：
75000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Gate Source Voltage：
±20V
Maximum Drain Source Voltage：
100V
Maximum Continuous Drain Current：
13.5A
Configuration：
Single
Channel Type：
N
Channel Mode：
Enhancement
Category：
Power MOSFET

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更多BUZ20供应商更新时间2026-1-17 10:32:00

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