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BUY49P	文件：99.69 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 200V(Min) • High Current Capability APPLICATIONS • Designed for high-current switching applications. 文件：99.69 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUY49P	文件：74.3 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 200V(Min) • High Current Capability APPLICATIONS • Designed for high-current switching applications. 文件：74.3 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BUY49P	文件：110.13 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • High breakdown voltage:VCEO=200V(min) APPLICATIONS • For high voltage,medium current switching applications 文件：110.13 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BUY49P	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 200V 3A 3-Pin TO-39 Box	NJS 新泽西半导体	NJS

晶体管资料

型号：
BUY49P
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
250V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
250
htest：
999900
atest：
3
wtest：
15

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
250V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.2@50mA@500mAV
Maximum Collector Emitter Voltage：
200V
Maximum DC Collector Current：
3A
Maximum Emitter Base Voltage：
6V
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Power Dissipation：
1000mW
Maximum Transition Frequency：
50(Min)MHz
Type：
NPN

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