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BUX86P | Silicon Diffused Power Transistor GENERAL DESCRIPTION High voltage, high speed glass passivated npn power transistors in a SOT82 envelope intended for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems and switching applications. 文件：50.84 Kbytes 页数：6 Pages | PHI PHI | PHI | |
BUX86P | Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V (Min) ·DC Current Gain- : hFE= 26(Min)@ IC= 50mA APPLICATIONS ·Converters ·Switching Regulators ·Motor Control Systems 文件：227.23 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
BUX86P | Silicon Diffused Power Transistor | 恩XP | 恩XP |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
开关管 （S）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
800V
- 最大电流允许值：
0.5A
- 最大工作频率：
20MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
42W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-21
- vtest：
800
- htest：
20000000
- atest：
0.5
- wtest：
42
详细参数
- 型号：
BUX86P
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT BUX86P/SOT82/RAILH//
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PH |
24+ |
SOT82TO-126 |
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询价 | |||
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