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BUV42A

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.9V(Max.) @IC= 4A • High Switching Speed APPLICATIONS • Designed for high current, high speed, high power applications.

文件:213.78 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

BUV42A

Bipolar NPN Device

文件:11.28 Kbytes 页数:1 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

BUV42A

Trans GP BJT NPN 250V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-3

NJS

BUV42A

Bipolar Junction Transistors

TT Electronics

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    250V

  • Maximum DC Collector Current:

    12A

  • Maximum Power Dissipation:

    120000mW

  • Type:

    NPN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多BUV42A供应商 更新时间2025-10-12 16:30:00