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BUV40	文件：219.84 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.8V (Max.) @IC= 5.5A ·High Switching Speed APPLICATIONS ·Designed for high current, high speed, high power applications. 文件：219.84 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUV40	文件：15.51 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 文件：15.51 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
BUV40	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 125V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-3	NJS	NJS
BUV40	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Junction Transistors	TT Electronics	TT Electronics

技术参数

Configuration：
Single
Maximum Collector Emitter Voltage：
125V
Maximum DC Collector Current：
20A
Maximum Power Dissipation：
120000mW
Type：
NPN

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更多BUV40供应商更新时间2025-12-5 14:31:00

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