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BUV27G	文件：98.57 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Power Transistor 文件：98.57 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUV27	文件：300 bytes Page：1 Pages	MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTOR	ST 意法半导体	ST
BUV27	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 120V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail	NJS	NJS
BUV27	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor	Comset	Comset
BUV27	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 120V 12A TO220	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BUV27G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 120V 12A TO220	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
BUV27
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 800mA，8A
工作温度：
175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN 120V 12A TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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