BUP314中文资料IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Avalanche rated)数据手册Infineon规格书
技术参数
- 型号：
BUP314
- 功能描述：
IGBT 晶体管 TRANS IGBT CHIP N-CH 1200V, 52A
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
650 V
- 集电极—射极饱和电压：
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
- C的连续集电极电流：
150 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封装/箱体：
TO-247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
西门子 |
24+ |
TO-3P |
7000 |
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23+ |
NA |
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INFINEON |
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TO-3P |
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原装现货/特价 |
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24+ |
3P |
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INFINEON |
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TO-3P |
8000 |
原装正品支持实单 |
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INF |
24+ |
2500 |
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INFINEON |
24+ |
SOT323 |
10000 |
公司现货库存,支持实单 |
询价 | ||
23+ |
TO-3P |
1 |
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INFINEON |
2025+ |
TO-3P |
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全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 |
