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BULD118D中文资料高压快速切换NPN功率晶体管数据手册ST规格书

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厂商型号

BULD118D

参数属性

BULD118D 封装/外壳为TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 2A TO251

功能描述

高压快速切换NPN功率晶体管
TRANS NPN 400V 2A TO251

封装外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-10-2 22:59:00

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BULD118D规格书详情

描述 Description

The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability.

It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA.

The device is designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies.

特性 Features

• INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR- EMITTER DIODE
• LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS
• HIGH VOLTAGE CAPABILITY
• VERY HIGH SWITCHING SPEED
• MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION

简介

BULD118D属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BULD118D晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BULD118D

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :IPAK

  • Grade

    :Industrial

  • Transistor Polarity

    :NPN

  • Collector-Emitter Voltage_nom(V)

    :400

  • Collector-Emitter Voltage_max(V)

    :400

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :700

  • Collector Current_max(A)

    :2

  • Dc Current Gain_min

    :8

  • Test Condition for hFE (IC)

    :2

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :5

  • VCE(sat)_max(V)

    :1.5

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :2

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :400

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
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