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BUK9Y1R3-40H	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 40 V, 1.3 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56 Automotive qualified N-channel MOSFET using the latest Trench 9 low ohmic superjunction technology, housed in a robust LFPAK56 package. This product has been fully designed and qualified to meet AEC-Q101 requirements delivering high performance and endurance. • Fully automotive qualified to AEC-Q101:• 175 °C rating suitable for thermally demanding environments\n\n• Trench 9 Superjunction technology:• Reduced cell pitch enables enhanced power density and efficiency with lower RDSon in same footprint\n• Improved SOA and avalanche capability compared to sta;	Nexperia 安世	Nexperia
BUK9Y1R3-40H	文件：275.69 Kbytes Page：12 Pages	丝印：91H340；Package：LFPAK56；N-channel 40 V, 1.3 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56 1. General description Automotive qualified N-channel MOSFET using the latest Trench 9 low ohmic superjunction technology, housed in a robust LFPAK56 package. This product has been fully designed and qualified to meet AEC-Q101 requirements delivering high performance and endurance. 2. Featur 文件：275.69 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK9Y1R3-40HX	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：BUK9Y1R3-40H/SOT669/LFPAK	Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
BUK9Y25-60E	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT669	NEXPERIA/安世上传：深圳深宇韬电子科技有限公司	NEXPERIA/安世
BUK9Y25-60E,115	文件：0 bytes Page：0 Pages		NPA 上传：深圳市铨博晟科技有限公司	NPA

技术参数

Package name：
LFPAK56; Power-SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
40
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
1.3
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
1.8
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
190
QGD [typ] (nC)：
11.2
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
45.3
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
99
Ptot [max] (W)：
395
Qr [typ] (nC)：
38.8
VGSth [typ] (V)：
1.62
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
6978
Coss [typ] (pF)：
1244
Release date：
2018-05-07

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更多BUK9Y1R3-40H供应商更新时间2025-12-15 15:02:00

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