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BUK9Y14-40B	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using Nexperia's High Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.\n; • Low conduction losses due to low on-state resistance\n• Q101 compliant\n• Suitable for logic level gate drive sources\n• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating\n;	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
BUK9Y14-40B	文件：740.75 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingNexperiaHighPerformanceAutomotive(HPA)TrenchMOS technology.ThisproducthasbeendesignedandqualifiedtotheappropriateAEC standardforuseinautomotivecriticala	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
BUK9Y14-40B	文件：197.38 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET	恩XP	恩XP
BUK9Y14-40B_15	文件：197.38 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BUK9Y25-60E	文件：0 bytes Page：0 Pages	NEXPERIA/安世 SOT669	NEXPERIA/安世上传：深圳深宇韬电子科技有限公司	NEXPERIA/安世

技术参数

Package name：
LFPAK56; Power-SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
40
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
11
RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ)：
14
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
16
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
56
QGD [typ] (nC)：
9
Ptot [max] (W)：
85
Qr [typ] (nC)：
26
VGSth [typ] (V)：
1.5
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
1360
Coss [typ] (pF)：
274
Release date：
2011-01-27

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