选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
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NXPNA |
45000 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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Nexperia USA Inc.20-SOIC(0.295,7.50mm 宽) |
9350 |
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BUK9MJT-55PRF,518中文资料Alldatasheet PDF
更多BUK9MJT-55PRF,518功能描述:MOSFET Dual N-CH TrenchPLUS logic level FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube