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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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Nexperia USA Inc.20-SOIC(0.295,7.50mm 宽) |
9350 |
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BUK9MJT-55PRF,518中文资料Alldatasheet PDF
更多BUK9MJT-55PRF,518功能描述:MOSFET Dual N-CH TrenchPLUS logic level FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
BUK9MJT-55PRF,518
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 包装：
卷带（TR）
- FET 类型：
2 N-通道（双）
- FET 功能：
逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：
55V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
13.8 毫欧 @ 10A，10V
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
- 供应商器件封装：
20-SO
- 描述：
MOSFET 2N-CH 55V 20SOIC
