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BUK9K45-100E	文件：740.33 Kbytes Page：13 Pages	丝印：94510E；Package：LFPAK56D；Dual N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：740.33 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK9K45-100E_15	文件：308.21 Kbytes Page：13 Pages	Dual N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：308.21 Kbytes 页数：13 Pages	PHI PHI	PHI
BUK9K45-100E	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N-channel TrenchMOS logic level FET Dual logic level N-channel MOSFET in an LFPAK56D (Dual Power-SO8) package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AECQ101 standard for use in high performance automotive applications. • Dual MOSFET\n• Q101 Compliant\n• Repetitive avalanche rated\n• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating\n• True logic level gate with VGS(th) rating of greater than 0.5V at 175°C;	Nexperia 安世	Nexperia
BUK9M35-80EX	文件：0 bytes Page：0 Pages	NA	NEXPERIA 安世上传：深圳权泰科技有限公司	NEXPERIA
BUK9M43-100EX	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT	恩XP 上传：深圳市吉铭电子科技有限公司	恩XP

技术参数

Package name：
LFPAK56D; Dual LFPAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
2
VDS [max] (V)：
100
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
42
RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ)：
45
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
21
QGD [typ] (nC)：
7.3
Ptot [max] (W)：
53
Qr [typ] (nC)：
42.9
VGSth [typ] (V)：
1.7
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
1614
Coss [typ] (pF)：
113
Release date：
2012-07-23

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更多BUK9K45-100E供应商更新时间2026-1-29 23:00:00

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