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BUK9K18-40E	文件：303.78 Kbytes Page：13 Pages	Dual N-channel TrenchMOS logic level FET General description Dual logic level N-channel MOSFET in a LFPAK56D package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications. Features and benefits • Q101 compliant • Repetitive avalanche rated • 文件：303.78 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
BUK9K18-40E	文件：303.78 Kbytes Page：13 Pages	Dual N-channel TrenchMOS logic level FET General description Dual logic level N-channel MOSFET in a LFPAK56D package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications. Features and benefits • Q101 compliant • Repetitive avalanche rated • 文件：303.78 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
BUK9K18-40E	文件：732.62 Kbytes Page：13 Pages	丝印：91840E；Package：LFPAK56D；Dual N-channel 40 V, 19.5 mΩ logic level MOSFET 1. General description Dual logic level N-channel MOSFET in an LFPAK56D (Dual Power-SO8) package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications. 2. Features and benefits • Dual MOSFET • Q101 文件：732.62 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK9K18-40E115	文件：303.78 Kbytes Page：13 Pages	Dual N-channel TrenchMOS logic level FET General description Dual logic level N-channel MOSFET in a LFPAK56D package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications. Features and benefits • Q101 compliant • Repetitive avalanche rated • 文件：303.78 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
BUK9K18-40E_15	文件：303.78 Kbytes Page：13 Pages	Dual N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：303.78 Kbytes 页数：13 Pages	PHI PHI	PHI
BUK9K18-40E	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N-channel 40 V, 19.5 mΩ logic level MOSFET Dual logic level N-channel MOSFET in an LFPAK56D (Dual Power-SO8) package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications. • Dual MOSFET\n• Q101 Compliant\n• Repetitive avalanche rated\n• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating\n• True logic level gate with VGS(th) rating of greater than 0.5V at 175°C;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
LFPAK56D; Dual LFPAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
2
VDS [max] (V)：
40
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
16
RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ)：
19.5
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
30
QGD [typ] (nC)：
3
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
14.5
Ptot [max] (W)：
38
Qr [typ] (nC)：
16.199999
VGSth [typ] (V)：
1.7
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
796
Coss [typ] (pF)：
137
Release date：
2012-07-23

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