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BUK9E06-55B_恩XP_MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS高捷芯城一部

图片仅供参考，请参阅产品规格书

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1+
  • 厂家型号：

    BUK9E06-55B

  • 产品分类：

    芯片

  • 生产厂商：

    恩XP

  • 库存数量：

    247048

  • 产品封装：

    标准封装

  • 生产批号：

    24+

  • 库存类型：

    热卖库存

  • 更新时间：

    2025-8-4 23:00:00

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原厂料号：BUK9E06-55B品牌：恩XP

全新原装正品/价格优惠/质量保障

  • 芯片型号：

    BUK9E06-55B

  • 规格书：

    下载

  • 内容页数：

    13 页

  • 文件大小：

    194.92 kb

  • 资料说明：

    N-channel TrenchMOS FET

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号：

    BUK9E06-55B

  • 功能描述：

    MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性：

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压：

    650 V

  • 闸/源击穿电压：

    25 V

  • 漏极连续电流：

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安装风格：

    Through Hole

  • 封装/箱体：

    Max247

  • 封装：

    Tube

供应商

  • 企业：

    深圳市高捷芯城科技有限公司

  • 商铺：

    进入商铺留言

  • 联系人：

    庄小姐

  • 手机：

    19076157814

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    0755-83061789

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