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BUK9608-55C1	文件：788.17 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. 1.2 Features and benefits Lo 文件：788.17 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
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更多BUK9608-55C1供应商更新时间2026-2-8 10:30:00