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BUK9535-55数据手册恩XP中文资料规格书

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厂商型号

BUK9535-55

功能描述

TrenchMOS™ transistor Logic level FET

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:16:00

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BUK9535-55规格书详情

描述 Description

GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection up to 2kV. It is intended for use in automotive and general purpose switching applications.

技术参数

  • 型号:

    BUK9535-55

  • 功能描述:

    MOSFET RAIL PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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