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BUK9520-55A数据手册Nexperia中文资料规格书
BUK9520-55A规格书详情
描述 Description
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.
技术参数
- 型号:
BUK9520-55A
- 功能描述:
MOSFET RAIL PWR-MOS
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
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18500 |
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询价 | ||
恩XP |
25+ |
TO-220AB |
18500 |
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恩XP |
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TO-220AB |
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恩XP |
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恩XP |
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恩XP |
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24+ |
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TO-220 |
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恩XP |
25+ |
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