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BUK9230-100B	文件：333.55 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Low RDS(ON) ·Fast Switching Speed ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for Switched Mode Power Supplies (SMPS), motor control,welding, and in general purpose switch 文件：333.55 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUK9230-100B	文件：817.06 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. 1.2 Features and benefits AE 文件：817.06 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK9230-55A	文件：975.9 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. 1.2 Features and benefits  L 文件：975.9 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK9230-100B	文件：95.44 Kbytes Page：12 Pages	TrenchMOS??logic level FET 文件：95.44 Kbytes 页数：12 Pages	PHI PHI	PHI
BUK9230-100B_15	文件：199.91 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：199.91 Kbytes 页数：14 Pages	PHI PHI	PHI
BUK9230-55A	文件：364.2 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：364.2 Kbytes 页数：14 Pages	PHI PHI	PHI
BUK9230-55A	文件：303.51 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：303.51 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUK9230-55A	文件：295.71 Kbytes Page：13 Pages	TrenchMOS logic level FET 文件：295.71 Kbytes 页数：13 Pages	PHI PHI	PHI
BUK9230-55A_15	文件：364.2 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：364.2 Kbytes 页数：14 Pages	PHI PHI	PHI
BUK9230-100B	文件：300 bytes Page：1 Pages	BUK9230-100B - N-channel TrenchMOS logic level FET N-channel TrenchMOS logic level FET - Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. ·AEC Q101 compliant\n·Low conduction losses due to low on-state resistance\n·Suitable for logic level gate drive sources\n·Suitable for thermally demanding environments due to 185 °C rating;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package version：
SOT428
Package name：
DPAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
100
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
28
R_DSon [max] @ V_GS = 5 V (mΩ)：
30
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
33
I_D [max] (A)：
47
Q_GD [typ] (nC)：
13
P_tot [max] (W)：
167
Q_r [typ] (nC)：
196
V_GSth [typ] (V)：
1.5
Automotive qualified：
Y
C_iss [typ] (pF)：
2854
C_oss [typ] (pF)：
232
Date：
2011-02-02

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