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BUK9006-55A	文件：226.52 Kbytes Page：10 Pages	N-channel Enhancement mode field-effect power Transistor Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor available as a bare die using Philips General Purpose Automotive (GPA) TrenchMOS™ technology. Features ■ 25 A testing of individual die ■ Life-tested to Q101 at 175 °C ■ Inductive energy testing of individual die ■ Automati 文件：226.52 Kbytes 页数：10 Pages	PHI PHI	PHI
BUK9006-55A	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel Enhancement mode field-effect power Transistor	恩XP	恩XP
BUK9637-100E	文件：0 bytes Page：0 Pages	D2PAK	NEXPERIA 安世上传：万三科技(深圳)有限公司	NEXPERIA
BUK98150-55A/CUF	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT223	NEXPERIA 安世上传：深圳市祥瑞智科技有限公司	NEXPERIA
BUK98180-100A/CU	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT223	NEXPERIA 安世上传：深圳市毅创辉电子科技有限公司	NEXPERIA

更多BUK9006-55A供应商更新时间2026-1-29 16:30:00