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BUK7Y25-40B	文件：811.2 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using Nexperia High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critica 文件：811.2 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK7Y25-60E	文件：764.47 Kbytes Page：13 Pages	丝印：72560E；Package：LFPAK56；N-channel 60 V, 25 mΩ standard level MOSFET in LFPAK56 1. General description Standard level N-channel MOSFET in an LFPAK56 (Power SO8) package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications. 2. Features and benefits • Q101 compliant • Repetitive 文件：764.47 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK7Y25-80E	文件：761.87 Kbytes Page：13 Pages	丝印：72580E；Package：LFPAK56；N-channel 80 V, 25 mΩ standard level MOSFET in LFPAK56 1. General description Standard level N-channel MOSFET in an LFPAK56 (Power SO8) package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications. 2. Features and benefits • Q101 compliant • Repetitive 文件：761.87 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK7Y25-40B	文件：199.84 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：199.84 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
BUK7Y25-40B_15	文件：199.84 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：199.84 Kbytes 页数：14 Pages	PHI PHI	PHI
BUK7Y25-60E	文件：352.34 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 60 V, 25 m廓 standard level MOSFET in LFPAK56 文件：352.34 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
BUK7Y25-60E_15	文件：352.12 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 60 V, 25 m廓 standard level MOSFET in LFPAK56 文件：352.12 Kbytes 页数：13 Pages	PHI PHI	PHI
BUK7Y25-80E	文件：347.26 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 80 V, 25 m廓 standard level MOSFET in LFPAK56 文件：347.26 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
BUK7Y25-80E_15	文件：347.89 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 80 V, 25 m廓 standard level MOSFET in LFPAK56 文件：347.89 Kbytes 页数：13 Pages	PHI PHI	PHI
BUK7Y25-40B	文件：300 bytes Page：1 Pages	BUK7Y25-40B - N-channel TrenchMOS standard level FET N-channel TrenchMOS standard level FET - Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using 恩XP High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive c ·Q101 compliant\n·Suitable for standard level gate drive sources\n·Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
LFPAK56; Power-SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
60
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
25
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
34
QGD [typ] (nC)：
5.6
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
16.1
Ptot [max] (W)：
64
Qr [typ] (nC)：
14.6
VGSth [typ] (V)：
3
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
784
Coss [typ] (pF)：
123
Release date：
2013-02-14

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	BUK7Y25-60E	NEXPERIA/安世	23+	SOT669	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市威雅利发展有限公司	BUK7Y25-60E	NEXPERIA	1836+	SOT669	1500	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	BUK7Y25-60E	恩XP	22+	LFPAK56	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳深宇韬电子科技有限公司	BUK7Y25-60E	NEXPERIA	2023+	SOT669	8800	正品渠道现货终端可提供BOM表配单。	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	BUK7Y25-60E	恩XP	24+	SOT669	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	BUK7Y25-60E	NEXPERIA	23+	SOT669	1500	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市云美电子科技有限公司	BUK7Y25-60E	恩XP	24+	SOT669	42000	只做原装进口现货	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	BUK7Y25-60E	nexperia	24+	na	10000	只有原装	询价
深圳市天芯威科技有限公司	BUK7Y25-60E	nexperia	24+	na	8000	新到现货，只做全新原装正品	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	BUK7Y25-60E	恩XP	2450+	SOT669	9850	只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!	询价

更多BUK7Y25供应商更新时间2025-12-25 16:50:00

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