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BUK7M12-60E	文件：1.59818 Mbytes Page：5 Pages	丝印：AP65N06DFXXXYYYY；Package：DFN3X3-8L；60 N-ChannelEnhancement Mode Power MOSFET 文件：1.59818 Mbytes 页数：5 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
BUK7M12-60E	文件：722.45 Kbytes Page：13 Pages	丝印：71260E；Package：LFPAK33；N-channel 60 V, 12 m廓 standard level MOSFET in LFPAK33 文件：722.45 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK7M12-60E	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 60 V, 12 mΩ standard level MOSFET in LFPAK33 Standard level N-channel MOSFET in an LFPAK33 (Power33) package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications. • Q101 Compliant\n• Repetitive avalanche rated\n• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating\n• True standard level gate with VGS(th) rating of greater than 1 V at 175 °C;	Nexperia 安世	Nexperia
BUK7S0R7-40H	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT1235	NEXPERIA 安世上传：万三科技(深圳)有限公司	NEXPERIA
BUK7S0R7-40HJ	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT1235	NEXPERIA 安世上传：万三科技(深圳)有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package name：
LFPAK33
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
60
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
12
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
53
QGD [typ] (nC)：
8.5
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
24.800001
Ptot [max] (W)：
75
Qr [typ] (nC)：
16.6
VGSth [typ] (V)：
3
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
1222
Coss [typ] (pF)：
167
Release date：
2016-04-12

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