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BUK7K12-60E	文件：755.1 Kbytes Page：13 Pages	丝印：71260E；Package：LFPAK56D；Dual N-channel 60 V, 9.3 mΩ standard level MOSFET 1. General description Dual standard level N-channel MOSFET in an LFPAK56D (Dual Power-SO8) package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications. 2. Features and benefits • Dual MOSFET • Q1 文件：755.1 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK7K12-60E	文件：333.87 Kbytes Page：13 Pages	Dual N-channel 60 V, 9.3 m廓 standard level MOSFET 文件：333.87 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
BUK7K12-60E	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N-channel 60 V, 9.3 mΩ standard level MOSFET Dual standard level N-channel MOSFET in an LFPAK56D (Dual Power-SO8) package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AECQ101 standard for use in high performance automotive applications. • Dual MOSFET\n• Q101 compliant\n• Repetitive avalanche rated\n• Suitable for thermally demanding environments due to 175°C rating\n• True standard level gate with VGS(th) of greater than 1V at 175 °C;	Nexperia 安世	Nexperia
BUK7K6R2-40EX	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT1205	NEXPERIA 安世上传：深圳市明嘉莱科技有限公司	NEXPERIA
BUK7K6R8-40E,115	文件：0 bytes Page：0 Pages	LFPAK56	NEXPERIA/安世上传：深圳市盈慧通电子有限公司	NEXPERIA/安世

技术参数

Package name：
LFPAK56D; Dual LFPAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
2
VDS [max] (V)：
60
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
9.3
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
40
QGD [typ] (nC)：
11
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
34.2
Ptot [max] (W)：
68
Qr [typ] (nC)：
24
VGSth [typ] (V)：
3
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
1761
Coss [typ] (pF)：
247
Release date：
2013-12-11

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更多BUK7K12-60E供应商更新时间2026-1-31 12:00:00

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