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BUK7E8R3-40E	文件：723.2 Kbytes Page：13 Pages	丝印：BUK7E8R3-40E；Package：I2PAK；N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：723.2 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BUK7E8R3-40E_15	文件：218.32 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：218.32 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUK7E8R3-40E	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET Standard level N-channel MOSFET in a SOT226 package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications. • AEC-Q101 compliant\n• Repetitive avalanche rated\n• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating\n• True standard level gate with VGS(th) rating of greater than 1 V at 175 °C;	Nexperia 安世	Nexperia
BUK7J1R4-40HX	文件：0 bytes Page：0 Pages	NEXPERIA/安世 SOT1023	NEXPERIA/安世上传：深圳市拓亿芯电子有限公司	NEXPERIA/安世
BUK7K6R2-40EX	文件：0 bytes Page：0 Pages	NEXPERIA SOT1205	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司上传：深圳市明嘉莱科技有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package version：
SOT226
Package name：
I2PAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
40
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
7.4
I_D [max] (A)：
75
Q_GD [typ] (nC)：
7.4
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
24
P_tot [max] (W)：
96
Q_r [typ] (nC)：
10.7
V_GSth [typ] (V)：
3
Automotive qualified：
Y
C_iss [typ] (pF)：
1300
C_oss [typ] (pF)：
260
Date：
2012-09-06

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